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富士通FRAM - 简介
  FRAM(铁电存储器)具有像E2PROM一样的非易失性的优势 ,在没有电源的情况下可以保存数据,用于数据存储。FRAM具有两个产品系列,串行接口(I2C,SPI)和并行接口产品。采用串行I/F的FRAM可以用E2PROM或串行闪存来代替,而采用并行I/F的产品可以用低功耗SRAM或Pseudo SRAM (PSRAM)来代替。
  富士通半导体集团控制着FRAM的整个生产程序;在日本的芯片开发和量产及组装程序。富士通公司保证了FRAM产品的高质量和稳定供应。自从1999年开始,FRAM产品已经连续供应12年以上,并且正在为许多客户提供所需的高可靠性。
PZT晶体结构和FRAM工作原理
  ● 当加置电场时就会产生极化。(锆/钛离子在晶体中向上或向下移动)
  ● 即使在不加置电场的情况下,也能保持电极。
  ● 两个稳定的状态以"0"或"1"的形式存储
存储器分类中的FRAM
优势
  与传统存储器相比,FRAM具有下列优势:
  非易失性
  ● 即使没有上电,也可以保存所存储的信息。
  ● 与SRAM相比,无需后备电池(环保产品)
  更高速度写入
  ● 像SRAM一样,可覆盖写入
  ● 不要求改写命令
  ● 对于擦/写操作,无等待时间
  ● 写入循环时间 =读取循环时间
  ● 写入时间: E2PROM的1/30,000
  具有更高的读写耐久性
  ● 确保最大1012次循环(100万亿循环)/位的耐久力
  ● 耐久性:超过100万次的 E2PROM
  具有更低的功耗
  ● 不要求采用充电泵电路
  ● 功耗:低于1/400的E2PROM
  表1. FRAM和其它器件间规格差异的比较表
  表1. 与其它存储器产品相比,FRAM的特性
  FRAM E2PROM Flash SRAM
存储器类别 非易失性 非易失性 非易失性 非易失性
晶胞结构*1 1T1C/2T2C 2T 1T 6T
数据改写方法 覆盖写入 擦除+写入 扇面擦除+写入 覆盖写入
写入循环时间 150ns*2 5ms 10μs 55ns
耐久力 最大 1012(1万亿次循环*3*2 106(100万次循环) 105(10万次循环) 无限制
写入操作电流 5mA(典型值)*2
15mA(最大值)*2
5mA(最大值) 20mA(最大值) 8mA(典型值)
待机电流 5μA(典型值)*2
50μA(最大值)*2
2μA(最大值) 100μA(最大值) 0.7μA(典型值)
3μA(最大值)
富士通FRAM集成型产品
  独立存储器(I2C/SPI/并行接口产品)
  富士通半导体提供了独立的存储器,它具有FRAM的优势,包括非易失性、高速读写、低功耗和更高的读写耐久性。你可以将其用于各种应用,如移动装置,OA设备,数字电器和银行终端等。
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